2009年12月7日，应国家光电子晶体材料工程技术研究中心及结构化学国家重点实验室的邀请，黄久齐博士访问了福建物构所并作了题为“薄膜沉积技术及其在微电子和光电子领域的应用”的学术报告。

　　黄久齐博士1986年毕业于中国科技大学物理系，1989年获中科院福建物构所硕士学位，随后留学美国，先后获得宾西法尼亚大学理学博士学位和哥伦比亚大学工商管理硕士学位。黄博士现为美国IBM公司系统与技术集团半导体研发中心先进制造设计部经理,研究领域涉及22纳米微电子工艺制作工程、大批量单晶硅薄膜、40G光纤通信调制器和单晶硅上生长液晶（LCOS）显示芯片等方面。

　　（陈白泉供稿）