郑国宗，博导，研究员，课题组长。2008年福建物质结构研究所获得凝聚态物理专业博士学位后留所工作。主要从事大尺寸水溶液晶体生长及动力学研究。在国际、国内重要学术期刊发表论文10余篇，以第一发明人申请国家发明专利17件，授权发明专利8件。以项目负责人承担国家级重大专项课题、中国科学院重点部署项目等项目20余项。近年来完成了大尺寸KDP类晶体批量生产线全程工艺验证与定型，实现KDP晶体批量生产，在国家重要工程中得到应用。

1. Yundong Ma, Yuanlong Sun, Xiangting Li, Zhongjie Xiao, Ziyu Hu*, Guozong Zheng*, Study on the rapid growth technology and optical properties of KAP crystal, Optical Materials, 2024, 115, 115884

2. Yuanlong Sun, Yundong Ma, Xiangting Li, Ziyu Hu* and Guozong Zheng*, Study on growth technology and optical properties of large size and high quality methylamine lead bromide single crystals, CrystEngComm, 2024, 26, 2003-2008.

3. Ziyu Hu, Pengfei Li, Yuanlong Sun, Jingwen Li and Guozong Zheng*, Rapid growth technology and optical properties of a large aperture high-deuterium DKDP crystal, CrystEngcomm, 2022, 24, 8440-8448.

4. Jingwen Li, Jun Zhang, Ziyu Hu, Min Zhang and Guozong Zheng*, Study on directional rapid growth and properties of 90% DKDP crystal, Journal of Crystal Growth, 2022, 578, 126445.

5. Xumin Cai, Xiuqing Lin, Guohui Li, Junye Lu, Ziyu Hu and Guozong Zheng*, Rapid growth and properties of large-aperture 98%-deuterated DKDP crystals. High Power Laser Science and Engineering, 2019, 7(03):91-98.

6. 郑国宗，胡子钰，张敏，李鹏飞，孙元龙，一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，中国发明专利，专利号：ZL202310081355.7，授权日期：2025-01-10。

7. 郑国宗，蔡序敏，胡子钰，林秀钦，一种加料装置，中国发明专利，专利号：ZL201811190458.2，授权日期：2023-11-17。

8. 郑国宗，胡子钰，林秀钦，李静雯，李鹏飞，一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法，中国发明专利，专利号：ZL202210151701.X，授权日期：2023-10-03。

9. 郑国宗，蔡序敏，胡子钰，林秀钦，一种高氘DKDP晶体原料的合成罐装置及合成方法法，中国发明专利，专利号：ZL201810088196.2，授权日期：2023-09-08。

10. 郑国宗，胡子钰，林秀钦，李静雯，李鹏飞，一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法，中国发明专利，专利号：ZL202210151711.3，授权日期：2023-06-27。

11. 郑国宗, 胡子钰, 蔡序敏, 一种载晶架及定向生长KDP类晶体的方法，中国发明专利，专利号：ZL201910261030.0，授权日期：2021-06-22。

12. 郑国宗, 胡子钰, 林秀钦, 李静雯, 一种载晶架及KDP类晶体的生长方法，中国发明专利，专利号：ZL201910998686.0，授权日期：2020-12-29。

13. 郑国宗, 胡子钰, 李静雯, 林秀钦, 一种DKDP溶液氘化率的测试方法，中国发明专利，专利号：ZL201910659698.0，授权日期：2020-12-29。