祁英昆，1995.9～1999.7于福州大学材料科学与工程学院材料学专业获得学士学位；2000.9～2003.3于浙江大学材料科学与工程系材料学专业获得硕士学位，期间主要从事热-等离子体辅助化学气相沉积（H-PECVD）超宽带隙半导体薄膜材料氮化硼（BN）的研究工作；2003.4至今，于中国科学院福建物质结构研究所先后从事物理气相沉积技术（PVT）生长宽带隙半导体材料碳化硅（SiC）单晶生长、物理冶金法进行太阳能级多晶硅的提纯、水溶液法生长大尺寸KDP/DKDP非线性光学晶体以及PVT技术生长超宽带隙半导体材料氮化铝（AlN）单晶生长工作。
正高级工程师