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利用石墨烯层间空隙调节其电子能带结构
更新日期:2015-11-16  

  题目:利用石墨烯层间空隙调节其电子能带结构 

  报告人:詹达 教授 

  单位:厦门大学材料学院 

  报告时间:1120号上午11 

  报告地点:老区纳米楼1楼报告厅 

  摘要:报告主要讲述通过利用分子插层到石墨烯层间空隙来实现对其电子能带的调制作用。采用FeCl3分子作为一种插层物质,在不同条件下实现对少层石墨烯的层间间隙进行不同结构的插层效果,从而得到多种基于石墨烯的新型复合晶体结构。对这一些列不同的新型复合晶体结构进行理论计算,发现石墨烯从质朴的单一能带结构可以得到多种调制效果。如对于全饱和插层结构,少层石墨烯可以保持和单层石墨烯一样的线性弥散电子能带结构,且同时还可实现高浓度掺杂而降低其费米面;另外可以通过不对称插层效果来有效打开石墨烯能隙。通过石墨烯层间空隙来调制其电子能带结构将会是一种极具潜力的方法来拓展石墨烯在诸多领域的应用。