5月16日，台湾大学冯哲川教授应邀访问物构所，做了题为“Multidisciplinary Studies on Advanced Semiconductors, Oxides and Nano Structures”的学术报告。 

　　在报告中，冯哲川主要介绍了他目前正在研究的课题主要进展，包括宽能隙半导体(ZnO、III-Nitrides、SiC等)和微纳结构的多学科材料研究、微纳米器件的研发、金属氧化物化学气相晶体生长技术等。冯哲川现任职于国立台湾大学光电所，自1983年起长期致力于宽能隙半导体研究，成果显著，迄今参与编辑并出版高效能复合半导体及纤维结构、多孔硅、III族氮化物半导体、III族氮化物元件、氧化锌及纳米工程领域共9本专著，发表超过530篇论文(超过220篇SCI收录)并被引用超过2,500次。 

　　                                    （中科院光电材料化学与物理重点实验室 供稿)