吴国栋
更新日期：2017-07-12
吴国栋，男，博士，副研究员，硕士生导师。2013年博士毕业于中科院宁波材料技术与工程研究所。2013年-2015年在南京大学电子科学与工程学院从事博士后研究。2016年1月起在中科院福建物构所工作。主要从事微纳电子器件的研究工作，已经在JACS，IEEE Electron Device Letters，Applied Physics Letters，Nanotechnology，Organic Electronics，Journal of Materials Chemistry C等国际期刊发表SCI论文四十余篇，其中第一/通讯作者20篇。第一作者关于柔性纸张类脑神经突触晶体管的成果受到英国物理学会(IOP)以“Brain process takes paper shape”为题的重点报道，并受到美国科学促进会新闻网站(AAAS EureAlert)、美国物理学家组织网（Phys.org）、每日科学(ScienceDaily)、科学新闻在线(ScienceNewsline)等十多家国外主流科技新闻媒体网站报道或转载。第一作者关于多孔晶体管的成果被J. Am. Chem. Soc.杂志选为当期唯一的封面，并被JACS以题为“Electrifying New Application for Metal-Organic Frameworks”进行Spotlights亮点报道。主持或已主持国家自然科学基金青年基金﹑福建省自然科学青年基金﹑南京大学苗圃项目﹑中国博士后基金等项目。应邀担任ACS Nano, ACS Applied Materials and Interface, Journal of Materials Chemistry C, OrganicElectronics等多个国际期刊的审稿人。
研究方向：
（1）导电配位聚合物的设计与合成；
（2）基于导电配位聚合物的电子器件研究（场效应晶体管﹑阻变/忆阻器件﹑传感器﹑光电探测器﹑仿生器件等）。
联系电话：0591-63179418； E-mail: wugd@fjirsm.ac.cn
办公地点：物理楼609
主要代表作：
1. Guodong Wu+, Jiahong Huang+, Ying Zang, Jun He*, Gang Xu*, “Porous Field-Effect Transistors Based on a Semiconductive Metal-Organic Framework", J. Am. Chem. Soc., 2017, 139, 1360. （Cover Paper and Highlighted by JACS Spotlights）（高被引论文和热点论文）
2. Guodong Wu, Changjin Wan, Jumei Zhou, Liqiang Zhu, Qing Wan*, “Low-voltage protonic/electronic hybrid indium zinc oxide synaptic transistors on paper substrates", Nanotechnology. 2014, 25, 094001. （Featured in IOP News, Science Daily, Phys.org, AAAS EureAlert, and ScienceNewsline, etc.）
3. Guodong Wu*, Jin Zhang, Xiang Wan, Yi Yang, Shuanghe Jiang, “Chitosan-based biopolysaccharide proton conductors for synaptic transistors on paper substrates", Journal of Materials Chemistry C. 2014, 2, 6249.
4. Guodong Wu, Jumei Zhou, Hongliang Zhang, Liqiang Zhu, Qing Wan*, “Low-voltage junctionless oxide-based thin-film transistors self-assembled by gradient shadow mask", IEEE Electron Device Letters. 2012, 33, 1720.
5. Guodong Wu, Hongliang Zhang, Liqiang Zhu, Mingzhi Dai, Ping Cui, Qing Wan*, “In-plane-gate oxide-based thin-film transistors self-aligned on stacked self-assembled monolayer/SiO2 electrolyte dielectrics", IEEE Electron Device Letters. 2012, 33, 531.